 |
|
|
|
তোমার দর্শন লগ করা অনলাইন চ্যাট এখন
সাক্ষ্যদান
আইএসও 9001 পিসিবিএ পাওয়ার কন্ট্রোল বোর্ড এইচএসএল সারফেস সমাপ্তি
|
পণ্যের বিবরণ:
প্রদান:
|
বিস্তারিত পণ্যের বর্ণনা
| বোর্ড বেধ: | 0.2 মিমি-4.5 মিমি | Min. ন্যূনতম। line width লাইন প্রস্থ: | 0.08 মিমি |
|---|---|---|---|
| তামা পুরুত্ব: | 1/2 ওজ -4 ওজ | শেষ হোল আকার:: | পিটিএইচ ± 0.003 '', এনপিটিএইচ ± 0.002 " |
| বেস উপাদান:: | এফআর 4 সিইএম 1 সিইএম 3 সিরামিক অ্যালুমিনিয়াম | বোর্ড থিকনস: | 0.2-4.0 মিমি |
| এসএমটি / ডিআইপি পরিষেবা:: | 0.3 মিমি আইসি, বিজিএ, কিউএফপি, 0201 উপাদান | পৃষ্ঠ সমাপ্তি: | এইচএসএল-এলএফ / ওএসপি / এএনআইজি ইত্যাদি |
| লক্ষণীয় করা: | এইচএসএল পিসিবিএ পাওয়ার কন্ট্রোল বোর্ড,আইএসও 9001 পিসিবিএ পাওয়ার কন্ট্রোল বোর্ড,আইএসও 9001 এইচএএসএল পিসিবিএ |
||
আইএসও 9001 পাওয়ার অ্যাডাপ্টার পিসিবিএ ফ্লেক্সিবল সার্কিট পাওয়ার কন্ট্রোল বোর্ড উচ্চ-শেষ পিসিবি অ্যাসেম্বলি পরিষেবা
নমনীয় সার্কিট প্রযুক্তিগত পরামিতি
| স্তরসমূহ: | 1-6 স্তর |
| নূন্যতম।লাইন প্রস্থ: | 0.05 মিমি |
| নূন্যতম।গর্তের আকার: | 0.15 মিমি পিটিএইচ |
| নূন্যতম।পিটিএইচ হোল রিং: | 0.45 মিমি |
| নূন্যতম।কভার স্তর এবং প্যাডের মধ্যে গ্যাপ: | 0.1 মিমি |
| নূন্যতম।ট্রেস এবং বাহ্যরেখার মধ্যে গ্যাপ: | 0.2 মিমি |
| প্রস্থ সহনশীলতা ট্রেস: | +/- 0.03 মিমি, ডাব্লু +/- 30% |
| রূপরেখা সহনশীলতা: | +/- 0.05 মিমি L≤ 25 মিমি |
| হোল আকার সহনশীলতা: | +/- 0.05 মিমি |
| স্টিফেনার এবং আউটলাইন সহনশীলতা: | +/- 0.25 মিমি |
| সারফেস চিকিত্সা: | এআইআইজি, সোনার কলাই, এইচএল, প্লাইটিং পিবি-এসএন |
ওয়ান স্টপ পরিষেবাগুলি
1. পিসিবি উত্পাদন
2. উপাদানগুলি সসিং
3. চূড়ান্ত পণ্য সমাবেশ
৪. গ্রাহক পণ্য উত্পাদন (চার্জার, ডিসি সিনভার্টার, ডিসি বিদ্যুৎ সরবরাহ ইত্যাদি)
পণ্য প্রয়োগ
যোগাযোগের ঠিকানা
Shenzhen Betterliv Technology Co., Ltd.
ব্যক্তি যোগাযোগ: admin
আমাদের সরাসরি আপনার তদন্ত পাঠান
অধিক পাওয়ার পিসিবিএ
-
10W বেতার শক্তি মডিউল
-
এফআর -4 পাওয়ার ব্যাংক চার্জিং সার্কিট বোর্ড
-
5 ভি 2 এ পাওয়ার ব্যাংক পিসিবি বোর্ড
-
5.6 মিমি পাওয়ার ব্যাংক পিসিবি সার্কিট 1 স্তর থেকে 20 স্তর 100 ই টেস্টিং
-
পাওয়ার সাপ্লাই সার্কিট বোর্ডের জন্য ই এম ওডিএম কঠোর প্রিন্টেড পাওয়ার পিসিবিএ
-
কপার এফআর 4 পাওয়ার পিসিবিএ, পাওয়ার সাপ্লাই পিসিবি লিড ফ্রি প্রক্রিয়া